一种改进的晶圆显影方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010503735.8 （22）申请日 2010.09.30

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN102445862A

（43）申请公布日 2012.05.09

（72）发明人 郝静安;安辉;林益世

（74）专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司

代理人 牛峥

（51）Int.CI

G03F7/30; G03F7/32; H01L21/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种改进的晶圆显影方法

（57）摘要

本发明提供了一种改进的晶圆显影方法，

包括如下步骤：A、对曝光后的晶圆上表面喷洒去离子水，去离子水完全覆盖住晶圆的上表面；B、将显影液均匀喷洒在晶圆上表面；C、使晶圆高速旋转的同时，向晶圆喷洒去离子水，实现对晶圆的清洗。本发明方案可以有效避免晶圆表面卫星

状缺陷的出现。

法律状态

法律状态公告日

2012-05-09 2012-06-27 2012-12-19 2017-01-04

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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