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专利名称：一种高速LVDS阻态控制电路及控制方法专利类型：发明专利
发明人：刘颖,田泽,吕俊盛,邵刚,马洁,李嘉申请号：CN202011534050.X申请日：20201224公开号：CN112751549A公开日：20210504
摘要：本发明涉及一种高速LVDS阻态控制电路及控制方法。本发明包括LVDS驱动电路、第一组态控制单元和第二组态控制单元，LVDS驱动电路包括pmos管P1、pmos管P2、nmos管N1、nmos管N2、电阻R、电压源VDD、电流源I1和电流源I2，电压源VDD通过电流源I1分别接入pmos管P1的源端和pmos管P2的源端，pmos管P1的漏端接nmos管N1的源端，pmos管P3的漏端接nmos管N2的源端，nmos管N1的漏端和nmos管N2的漏端和地之间接有电流源I2，pmos管P1的漏端和nmos管N1的源端与pmos管P2的漏端和nmos管N2的源端之间接有电阻R，第一组态控制单元的两路输出信号Out_m和Out_n分别接入pmos管P1的栅极和pmos管P2的栅极，第二组态控制单元的两路输出信号Out_p和Out_q分别接入nmos管N1的栅极和nmos管N2的栅极。本发明可以实现LVDS驱动电路的高阻态输出。
申请人：西安翔腾微电子科技有限公司
地址：710054 陕西省西安市高新一路25号创新大厦S303室
国籍：CN
代理机构：西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：商宇科
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