晶体管的制作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310455830.9 （22）申请日 2013.09.29

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN104517844A

（43）申请公布日 2015.04.15

（72）发明人 童浩;严琰;曾以志

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 骆苏华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

晶体管的制作方法

（57）摘要

一种晶体管的制作方法，包括：提供半导

体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成偏移间隙壁；以所述偏移间隙壁为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成轻掺杂区，所述栅介质层两侧具有损坏区；去除所述栅介质层中的损坏区；修补所述栅介质层至预定尺寸；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成侧墙；以所述侧墙及所述栅极为掩

模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入，形成重掺杂区。所述晶体管的制作方法得到的栅介质层中，不含有原来受到杂质离子损伤的部分，因此，栅介质层的绝缘性能高，整个晶体管的栅极漏电流小，晶体管的性能提高。

法律状态

法律状态公告日

2015-04-15 2015-04-15 2015-05-13 2015-05-13 2017-12-29

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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