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具有高灵敏度的用于硅微电容传声器中的芯片[实用新型专利]

来源:测品娱乐
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:具有高灵敏度的用于硅微电容传声器中的芯片专利类型:实用新型专利

发明人:徐联,汪承灏,魏建辉,黄歆,李俊红申请号:CN200320129757.8申请日:20031223公开号:CN2666073Y公开日:20041222

摘要:本实用新型涉及具有高灵敏度的用于硅微电容传声器中的芯片,包括一n-型硅基片,在硅基片的正面扩散硼形成p+型搀杂层,在其上通过沉积二氧化硅并光刻、腐蚀成隔离层,在隔离层上附着一振动膜层,振动膜层之上沉积金属铝膜和方形铝电极;在硅基片的反面有一层氮化硅保护膜,从硅基片的底面腐蚀出一梯形缺口,该梯形缺口的深度至p+型搀杂层,垂直于该搀杂层腐蚀出声学孔形成穿孔背板,穿孔背板与振动膜层之间为空气隙;所述的隔离层为圆环状。该传声器芯片制备方法简单;芯片由不同的金属材料分别制成圆环形的隔离层和圆形的牺牲层,在实现圆形结构的同时,实现褶皱环的制作,减小振动膜的应力,避免时效破裂;提高了传声器灵敏度。

申请人:中国科学院声学研究所

地址:100080 北京市海淀区北四环西路21号

国籍:CN

代理机构:北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人:王凤华

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