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专利名称：一种太阳能级别单晶硅及其制备方法专利类型：发明专利发明人：朱如坤
申请号：CN201010146874.X申请日：20100415公开号：CN102220631A公开日：20111019
摘要：一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法，把25Kg的多晶硅(占原料35.72％)、边皮15Kg(占原料21.43％)、复拉棒20Kg(占原料28.57％)、抛光片5Kg(占原料7.14％)、头尾料5Kg(占原料7.14％)放入单晶炉，单晶炉的石英锅的温度达到硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转动，种晶从上面下降，点到锅的液面点，慢慢反方向转动，锅下面同时在加热，液面上加冷，种晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引、放肩、转肩、正常拉棒、收尾，在一段时间后，一个单晶棒形成。本发明的有益效果是：本发明有效的解决了单晶硅生产过程中掺杂母合金中带来一系列不足，提高单晶硅的成品率，大大缩短了成品时间。
申请人：朱如坤
地址：310012 浙江省杭州市萧山区党山镇前兴村9组2号
国籍：CN
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