低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201810178622.1 （22）申请日 2018.03.05

（71）申请人 上海华虹宏力半导造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN108494385A

（43）申请公布日 2018.09.04

（72）发明人 邵博闻

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 戴广志

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路

（57）摘要

本发明公开了一种低频振荡电路，由偏置

电压和电流产生电路、振荡电路组成；所述偏置电压和电流产生电路由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻组成；所述振荡电路由第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容组成。本发明还公开了一种用于所述低频振荡电路的偏置电压和电流产生电路。本发明能够在不增

加额外电路的情况下，使参考电流和参考电压同源。

法律状态

法律状态公告日

2018-09-04 2018-09-04 2018-09-28

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路的说明书内容是....请下载后查看