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专利名称：一种大单晶石墨烯及其制备方法专利类型：发明专利发明人：彭海琳,王欢,刘忠范申请号：CN2015100067.6申请日：20150206公开号：CN1049259A公开日：20150527
摘要：本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在非还原性气体气氛下，对铜基底进行退火处理；2)在持续通入还原性气体的反应器中，对放入其中的步骤1)中所述退火处理后铜基底进行退火还原；3)采用化学气相沉积法在由所述退火还原后的两个铜基底形成间隙的基底相对的表面上沉积石墨烯，即得到所述孤立的大单晶石墨烯。还可进一步以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为媒介，将大单晶石墨烯转移到目标基底上，通过对石墨烯生长过程中生长时间和气体流量进行调节，可以快速制备得到孤立的大单晶石墨烯样品，无需较长的制备时间，也无需昂贵的单晶基底。
申请人：北京大学
地址：100000 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
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