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专利名称：半导体元器件及其制备方法、电子装置专利类型：发明专利
发明人：崔基雄,李河圣,金成基申请号：CN201911311098.1申请日：20191218公开号：CN111354679A公开日：20200630
摘要：一种半导体元器件的制造方法，其包括以下步骤：在半导体基体上沉积多晶硅以形成沉积层；对所述沉积层进行化学机械抛光处理或回蚀处理；对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理；以及在600℃～900℃下对上述沉积层进行退火处理，从而形成多晶硅接触层。所述半导体元器件的制备方法有利于提高使用寿命。本申请还提供一种半导体元器件及应用所述半导体元器件的电子装置。
申请人：夏泰鑫半导体(青岛)有限公司
地址：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室
国籍：CN
代理机构：深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
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