专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：曝光掩模以及利用曝光掩模的半导造方法专利类型：发明专利发明人：马原光,严泰胜申请号：CN200810178630.2申请日：20081121公开号：CN101614952A公开日：20091230
摘要：本发明提供一种曝光掩模以及利用曝光掩模的半导造方法。用于极端紫外辐射(EUV)的曝光掩模包括形成在掩模衬底上方的吸收体以及形成在吸收体上方的反射图案。用于EUV的曝光掩模防止从反射体反射的光被吸收体图案再吸收从而防止遮蔽效应。结果，光致抗蚀剂图案没有变形地反映形成在曝光掩模中的图案，从而获得期望的图案。
申请人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：屈玉华
更多信息请下载全文后查看
