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专利名称：面结型场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：原田真,弘津研一,松波弘之,木本恒畅申请号：CN00818361.9申请日：20000911公开号：CN1423836A公开日：20030611
摘要：一种面结型场效应晶体管及其制造方法,可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括:第二导电型的栅极区域(2),其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10),其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5),其与栅极区域连接,限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3),其设在背面；第一导电型的漂移区域(4),其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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