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专利名称：制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光
器件
专利类型：发明专利
发明人：笔田麻佑子,中津弘志申请号：CN200610074666.7申请日：20060421公开号：CN1855370A公开日：20061101
摘要：本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InAlGaN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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