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专利名称：存储器单元及存储器单元阵列专利类型：发明专利
发明人：斯科特·E·西里斯,古尔特杰·S·桑胡,山·D·唐,约翰·斯迈
思
申请号：CN201280049413.8申请日：20120918公开号：CN103858231A公开日：20140611
摘要：一些实施例包含存储器单元。所述存储器单元可具有第一电极，及在所述第一电极之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状界定开口。所述可编程材料可经配置以可逆地保持导电桥。所述存储器单元可具有直接抵着所述可编程材料的离子源材料，并且可具有在由所述沟槽形状的可编程材料界定的所述开口内的第二电极。一些实施例包含存储器单元阵列。所述阵列可具有第一导电线，及在所述第一线之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状的结构可界定其内的开口。离子源材料可直接抵着所述可编程材料，并且第二导电线可在所述离子源材料之上并且在由所述沟槽形状的结构界定的所述开口内。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：孙宝成
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